[发明专利]一种铜合金屏蔽电缆无效
申请号: | 201310277982.4 | 申请日: | 2013-07-03 |
公开(公告)号: | CN103426508A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 许义彬 | 申请(专利权)人: | 晶锋集团股份有限公司 |
主分类号: | H01B7/00 | 分类号: | H01B7/00;H01B7/17 |
代理公司: | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人: | 刘勇 |
地址: | 239300 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种铜合金屏蔽电缆,铜合金线材,所述铜合金的成分为,Al0.3-0.6%,Re0.01-0.02%,Cr0.2-0.6%,其余为Cu以及不可避免的杂质;所述导体的表面覆盖一层纳米Bi2Te3薄膜,所述纳米Bi2Te3薄膜的表面包覆一层聚丙烯腈屏蔽层;所述聚丙烯腈屏蔽层的外面包覆一层聚乙烯绝缘层和一层聚全氟乙烯绝缘层,二者之间填充一层石墨层,所述聚全氟乙烯绝缘层的外面挤包一层硅橡胶防护层。首先,铜合金导体表面经过去氧化抛光处理,减小了导体表面的气隙;另外,纳米Bi2Te3薄膜以及聚丙烯腈屏蔽层的添加,使得各层之间的接触更加的紧密,屏蔽性能大幅度提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 铜合金 屏蔽 电缆 | ||
【主权项】:
一种铜合金屏蔽电缆,包括导体,其特征在于,所述导体为铜合金线材,所述铜合金的成分按质量百分比为,Al0.3‑0.6%,Re0.01‑0.02%,Cr0.2‑0.6%,其余为Cu以及不可避免的杂质,所述铜合金线材表面要经过去氧化以及抛光处理;所述导体的表面覆盖一层纳米Bi2Te3薄膜,且所述纳米Bi2Te3薄膜的厚度为0.1‑0.4mm,所述纳米Bi2Te3薄膜的表面包覆一层聚丙烯腈屏蔽层,所述聚丙烯腈屏蔽层的外面包覆一层聚乙烯绝缘层;所述聚乙烯绝缘层的外面包覆一层聚全氟乙烯绝缘层,所述聚乙烯绝缘层与聚全氟乙烯绝缘层之间填充一层石墨层,所述聚全氟乙烯绝缘层的外面挤包一层硅橡胶防护层。
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