[发明专利]氮化物系化合物半导体元件无效
| 申请号： | 201310278096.3 | 申请日： | 2013-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN103531625A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 岩见正之;古川拓也 | 申请（专利权）人： | 先进动力设备技术研究协会 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 翟赟琪 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种漏电流低、且减少了电流崩塌现象的氮化物系化合物半导体元件。其具备：基板；在所述基板上隔着缓冲层而形成的第1氮化物系化合物半导体层；形成于所述第1氮化物系化合物半导体层上的、具有比该第1氮化物系化合物半导体的带隙大的带隙的第2氮化物系化合物半导体层；形成于所述第2氮化物系化合物半导体层上的电极。所述第2氮化物系化合物半导体层在表面附近具有掺杂了碳的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 化合物 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种氮化物系化合物半导体元件，其特征在于，具备：基板；在所述基板上隔着缓冲层形成的第1氮化物系化合物半导体层；形成于所述第1氮化物系化合物半导体层上的、具有比该第1氮化物系化合物半导体层的带隙大的带隙的第2氮化物系化合物半导体层；以及形成于所述第2氮化物系化合物半导体层上的电极，所述第2氮化物系化合物半导体层在表面附近具有掺杂了碳的区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于先进动力设备技术研究协会，未经先进动力设备技术研究协会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310278096.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：气流粉碎系统的物料输送管道
- 下一篇：药房药库连接装置
- 同类专利
- 专利分类
