[发明专利]基于石墨烯纳米带的太赫兹波产生器件有效
| 申请号： | 201310278153.8 | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN103337772A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 王长;曹俊诚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01S1/02 | 分类号： | H01S1/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于石墨烯纳米带的太赫兹波产生器件，包括衬底及形成于该衬底上的扶椅型石墨烯纳米带；所述衬底上、该石墨烯纳米带的两端上分别设有电极，该电极之间加有一为所述石墨烯纳米带两端提供直流偏置电压的直流电源，使得该石墨烯纳米带在该直流偏置电压下产生频率处于太赫兹频段的高频电流振荡。本发明中，石墨烯纳米带在外加偏置电压下于太赫兹频段表现出负微分特性，可以产生太赫兹波。基于石墨烯纳米带的太赫兹波产生器件在产生太赫兹波方面具有天然的优越性，能够实现较大的太赫兹增益。且石墨烯纳米带易于操纵、裁剪及容易集成，使得基于石墨烯纳米带的太赫兹波产生器件的设计灵活性更大。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 石墨 纳米 赫兹 产生 器件 | ||
【主权项】：
一种基于石墨烯纳米带的太赫兹波产生器件，其特征在于：该太赫兹波产生器件包括衬底及形成于该衬底上的扶椅型石墨烯纳米带；所述衬底上、该石墨烯纳米带的两端上分别设有电极，该电极之间加有一为所述石墨烯纳米带两端提供直流偏置电压的直流电源，使得该石墨烯纳米带在该直流偏置电压下产生频率处于太赫兹频段的高频电流振荡。
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