[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，包括：具有第一半导体层（11）和形成于第一表面（11a）上的第二半导体层（12）的半导体衬底（10）；具有第一电极（20）和第二电极（21）的二极管（30）；控制焊盘（42）；与所述控制焊盘（42）电耦合的控制电极（41）；以及绝缘构件（44，46）。在所述第一半导体层（11）的第二表面（11b）上形成所述第一电极（20）。在第一表面（11a）上形成第二电极（21）。电流在第一电极（20）和第二电极（21）之间流动。控制焊盘（42）布置于第一表面（11a）上，使得所述焊盘（42）输入控制信号，用于控制注入所述第一半导体层中的载流子的量。所述绝缘构件（44，46）在所述控制电极（41）和所述第二电极（21）之间以及在所述控制电极（41）和所述半导体衬底（10）之间绝缘。

主权项

一种半导体装置，包括：具有第一导电类型的集电极层（201）；具有第二导电类型且布置于所述集电极层（201）上的漂移层（202）；具有所述第一导电类型且形成于单元区域中的所述漂移层（202）上的基极区（203）；第一沟槽（204），所述第一沟槽（204）沿着作为纵向的一个方向延伸并被形成为穿透所述基极区（203）并且到达所述漂移区（202），从而将所述基极区（203）分成多个部分；发射极区（205），所述发射极区（205）具有所述第二导电类型且形成于所述基极区（203）的所分成的多个部分的至少一部分以接触所述基极区（203）中的所述第一沟槽（204）的侧壁；形成于所述第一沟槽（204）的内表面上的栅极绝缘膜（206）；形成于所述第一沟槽（204）中的栅极绝缘膜（206）上的栅电极（207）；与所述发射极区（205）电耦合的发射极电极（209）、以及形成于所述集电极层（201）的后侧上的集电极电极（210）；形成于所述集电极层（201）与所述漂移层（202）相反的后侧上的第二沟槽（211）；形成于所述第二沟槽（211）的内表面上的栅极绝缘膜（212）；以及形成于所述第二沟槽（211）中的栅极绝缘膜（212）上的控制栅电极（213），其中所述集电极层（201）、所述漂移层（202）、所述基极区（203）、所述沟槽（204）、所述发射极区（205）、所述栅极绝缘膜（206）、所述栅电极（207）和所述集电极电极（210）提供了绝缘栅型半导体装置。