[发明专利]引线框架制造方法有效
申请号: | 201310279232.0 | 申请日: | 2013-07-04 |
公开(公告)号: | CN103346095B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 张卫红;沈海军;周锋;吴赛花;吴晓敏 | 申请(专利权)人: | 南通富士通微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 孟阿妮 |
地址: | 226006 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种引线框架制造方法,包括:形成引线框架本体,引线框架本体包括多个芯片承载基座和连接部,多个芯片承载基座之间通过连接部连接;对所述连接部进行半刻蚀;在连接部的半刻蚀区域形成塑封层;一方面能有效地保证引线框架的强度,另一方面采用刀片切割连接部时,有效减少刀片与金属的摩擦,进一步地有效减少毛刺的产生,提高封装产品的品质。 | ||
搜索关键词: | 引线 框架 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种引线框架制造方法,其特征在于,包括:形成引线框架本体,所述引线框架本体包括多个芯片承载基座和连接部,所述多个芯片承载基座之间通过连接部连接;形成所述引线框架本体后,在所述引线框架本体表面形成金属镀层;对所述连接部进行半刻蚀,去除相应的金属镀层;在所述连接部的半刻蚀区域形成塑封层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通富士通微电子股份有限公司,未经南通富士通微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310279232.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:人工磁导体地面
- 下一篇:电缆巡检机器人及其控制系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造