[发明专利]一种含有纳米第二相的Mo-Si-La-Y-Ce合金及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310279843.5 申请日: 2013-07-04
公开(公告)号: CN103409675A 公开(公告)日: 2013-11-27
发明(设计)人: 冯鹏发;杨秦莉;赵虎;刘仁智;付静波 申请(专利权)人: 金堆城钼业股份有限公司
主分类号: C22C27/04 分类号: C22C27/04;C22C1/04
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 罗笛
地址: 710077 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开的一种含有纳米第二相的Mo-Si-La-Y-Ce合金,按质量百分比由以下物质组成:质量份数为0.03~0.1%的Si,质量份数为0.05~0.35%的La2O3,质量份数为0.06~0.25%的Y2O3,质量份数为0.07~0.18%的CeO2,余量为Mo和不可避免的杂质。本发明还公开了该合金的制备方法,包括如下步骤:称取粒径不大于100nm的MoSi2、La2O3、Y2O3、CeO2纳米粉末;配置纳米悬浮液;在线搅拌;喷雾掺杂;真空除湿;制备合金烧结坯。本发明的制备方法,解决了现有的掺杂技术中需要通过后续反应将掺杂物转化为第二相微粒,使得第二相微粒的尺寸无法直接控制的问题。
搜索关键词: 一种 含有 纳米 第二 mo si la ce 合金 及其 制备 方法
【主权项】:
一种含有纳米第二相的Mo‑Si‑La‑Y‑Ce合金,其特征在于,按质量百分比由以下物质组成:质量份数为0.03~0.1%的Si,质量份数为0.05~0.35%的La2O3,质量份数为0.06~0.25%的Y2O3,质量份数为0.07~0.18%的CeO2,余量为Mo和不可避免的杂质,以上各物质的质量百分比之和为100%。
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