[发明专利]离子注入的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法有效
| 申请号： | 201310279945.7 | 申请日： | 2013-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN103367416A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;汤国平;郝跃;陈伟伟;赵胜雷 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L29/20;H01L29/205;H01L21/335;H01L21/266 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子注入的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括：衬底、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层；势垒层上的两端分别为源极和漏极，钝化层位于源极和漏极之间的势垒层上，钝化层上开有栅槽，栅槽中设有栅极；缓冲层采用GaN，势垒层采用AlGaN；势垒层上局部区域注入有负离子，注入有负离子的区域为若干相互隔开的条形；条形之间未注入离子的区域宽度为纳米量级，在该区域下面的异质结中形成一维电子气。本发明与Si基和GaAs基器件相比具有很好的高温高压特性、频率特性和功率特性，可制作超高速低功耗的一维电子气器件。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 电子 gan hemt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入的一维电子气GaN基HEMT器件，其结构自下而上包括：衬底（1）、缓冲层（2）、势垒层（3）、钝化层（7）和保护层（8）；势垒层（3）上的两端分别为源极（4）和漏极（5），钝化层（7）位于源极（4）和漏极（5）之间的势垒层（3）上，该钝化层（7）上开有栅槽，栅槽中设有栅极（6）。其特征在于：所述的缓冲层（2）采用GaN半导体材料；所述的势垒层（3）采用AlGaN半导体材料，该势垒层（3）上的局部区域注入有负离子，注入有负离子的区域为若干相互隔开的条形，条形之间未注入离子的区域宽度为纳米量级，注入有负离子的区域横向隔断二维电子气导电沟道，在未注入离子区域下面的异质结中形成一维电子气。
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