[发明专利]具有布拉格反射层的倒装芯片发光二级管及其制备方法

摘要

具有布拉格反射层的倒装芯片发光二极管及其制备方法，发光二极管包括衬底材料、N型层、发光层、P型层、N电极及多个分散设置的P电极；P型层表面设置布拉格反射层，P电极凸出于布拉格反射层并在布拉格反射层表面形成凸点。制备时：制作外延片；制作电极；在P型层上形成布拉格反射层，使P电极露出于布拉格反射层并在布拉格反射层表面形成凸点；封装固晶。本发明在P型层上设置布拉格反射层，并设置多个凸出于布拉格反射层的P电极，使本发明倒装芯片具有高的光学取出效率，采用多点电极的结构，有利于电流密度均匀性提升，而且电极设计方案更加灵活，突破了现有倒装芯片发光二极管发光效率的技术瓶颈。

主权项

具有布拉格反射层的倒装芯片发光二极管，包括：衬底材料；形成于所述衬底材料上的N型层、发光层和P型层；形成于所述N型层上的N电极；其特征在于：所述P型层上形成有多个分散设置的P电极；在所述P型层表面设置布拉格反射层，所述P电极凸出于所述布拉格反射层并在所述布拉格反射层表面形成凸点。