[发明专利]选区外延的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法有效
| 申请号： | 201310280177.7 | 申请日： | 2013-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN103400856A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;郝跃;汤国平;陈伟伟;赵胜雷 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/04;H01L21/335;H01L29/36 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种选区外延的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括衬底、缓冲层、钝化层和保护层；缓冲层采用GaN，该缓冲层上设有按周期性间隔排列的势垒层条和掩蔽层条；势垒层条上的两端分别为源极和漏极；钝化层位于势垒层条和掩蔽层条上，该钝化层上开有栅槽，栅槽中设有栅极；势垒层条采用AlGaN，每条势垒层条的宽度为纳米量级，以形成一维电子气。本发明与Si基和GaAs基一维电子气器件相比，由于采用材料特性突出的宽禁带半导体GaN，故具有很好的高温高压特性、频率特性和功率特性，可制作超高速低功耗的一维电子气器件。 | ||
| 搜索关键词： | 选区 外延 电子 gan hemt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种选区外延的一维电子气GaN基HEMT器件，其结构自下而上包括衬底（1）、缓冲层（2）、钝化层（8）和保护层（9），其特征在于：所述的缓冲层（2）采用GaN半导体材料，该缓冲层（2）上设有按周期性间隔排列的势垒层条（3）和掩蔽层条（4）；势垒层条（3）上的两端分别为源极（6）和漏极（7）；钝化层（8）位于势垒层条（3）和掩蔽层条（4）上，该钝化层（8）上开有栅槽，栅槽中设有栅极（5）；所述的势垒层条（3），采用AlGaN半导体材料，每条势垒层条（3）的宽度为纳米量级，以形成一维电子气。
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