[发明专利]基于硅衬底高介电常数的栅介质材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310280178.1 | 申请日： | 2013-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN103367408A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 刘红侠;费晨曦;范小娇;马飞;樊继斌;许韩晨玺 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/285 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅衬底的高介电常数栅介质材料及其制备方法。主要解决传统材料介电常数低，热稳定性和薄膜致密性差的问题。该栅介质材料自下而上包含阻挡层(1)、La基高介电常数薄膜(2)和保护层(3)，其中，阻挡层(1)采用厚度为0.5-3nm的Al2O3；La基高介电常数薄膜(2)采用厚度为1-10nm的La2O3或LaAlO3或HfLaOx；保护层(3)采用厚度为1-5nm的Al2O3。整个材料采用原子层淀积方法制备。本发明的栅介质材料具有介电常数高，薄膜致密性和台阶覆盖性好，热稳定性好，表面粗糙度小的优点，可用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的栅电介质膜。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 衬底 介电常数 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于硅衬底的高介电常数栅介质材料，自下而上包括阻挡层(1)和La基高介电常数薄膜(2),其特征在于：La基高介电常数薄膜(2)的上面增加有Al2O3保护层(3)，以降低在淀积La基高介电常数薄膜(2)过程中所形成的La2O3与空气中的水汽反应速度；阻挡层(1)采用厚度为0.5‑3nm的Al2O3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310280178.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：晶体管以及形成方法
- 下一篇：终端保护环及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
