[发明专利]二次生长的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法有效
| 申请号： | 201310280220.X | 申请日： | 2013-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN103367429A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;郝跃;汤国平;陈伟伟;赵胜雷 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二次生长的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括衬底、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层；势垒层上的两端分别为源极和漏极，钝化层位于源极和漏极之间的势垒层上，该钝化层上开有栅槽，栅槽中设有栅极；缓冲层采用GaN，势垒层采用AlGaN；缓冲层上刻蚀有若干周期性排列的宽度为纳米量级的量子线凹槽和量子线凸台，在量子线凹槽和量子线凸台正下方异质结中形成一维电子气。本发明与Si基和GaAs基一维电子气器件相比，具有很好的高温高压特性、频率特性和功率特性，可制作超高速低功耗的一维电子气器件。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 生长 电子 gan hemt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二次生长的一维电子气GaN基HEMT器件，其结构自下而上包括衬底（1）、缓冲层（2）、势垒层（5）、钝化层（9）和保护层（10）；势垒层（3）上的两端分别为源极（7）和漏极（8），钝化层（9）位于源极（7）和漏极（8）之间的势垒层（5）上，该钝化层（9）上开有栅槽，栅槽中设有栅极（6），其特征在于：所述的缓冲层（2）采用GaN半导体材料，该缓冲层（2）上刻蚀有若干均匀排列的宽度为纳米量级的量子线凹槽（3），得到若干宽度为纳米量级的量子线凸台（4），且量子线凹槽（3）与量子线凸台（4）为周期性排列，在量子线凹槽（3）和量子线凸台（4）正下方异质结中形成一维电子气；所述的势垒层（5）采用AlGaN半导体材料。
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