[发明专利]用于开关型充电管理芯片中驱动管与电感的短路保护电路有效

专利信息
申请号: 201310280329.3 申请日: 2013-07-05
公开(公告)号: CN103401541A 公开(公告)日: 2013-11-20
发明(设计)人: 来新泉;李演明;邵丽丽;唐起源 申请(专利权)人: 西安启芯微电子有限公司
主分类号: H03K17/08 分类号: H03K17/08;H03K17/22
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华
地址: 710075 陕西省西安市高*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种用于开关型充电管理芯片中驱动管与电感的短路保护电路,主要解决现有短路保护电路误检测问题。本发明包括2个高压NMOS管,下管检测单元(1),上管检测单元(2)和逻辑驱动单元(3);下管检测单元(1)在上驱动管导通时,对下去驱动管进行短路检测,并输出下管短路信号给逻辑驱动单元(3);上管检测单元(2)在下驱动管导通时,对上驱动管和电感进行短路检测,并输出上管短路信号给逻辑驱动单元(3);当短路发生时,逻辑驱动单元(3)控制上驱动管和下驱动管关断,若短路情况持续,逻辑驱动单元(3)控制高压NMOS管切断充电电源。本发明的短路检测电路与过流检测电路相互独立,提高了检测的准确性和电路的可靠性,可用于大充电电流的开关型充电管理芯片。
搜索关键词: 用于 开关 充电 管理 芯片 驱动 电感 短路 保护 电路
【主权项】:
一种用于开关型充电管理芯片中驱动管与电感的短路保护电路,包括用于切断充电电源的高压NMOS管M1和M2,高压NMOS管M1的漏极与充电管理芯片的输入电压VIN相连,其源极与高压NMOS管M2的源极相连,并连接到逻辑驱动单元(3),高压NMOS管M2的漏极输出充电电压VHI;该逻辑驱动单元(3)用于产生控制信号VG、上管驱动信号VH和下管驱动信号VL,控制信号VG连接到高压NMOS管M1和M2的栅极控制其导通与关断,上管驱动信号VH和下管驱动信号VL分别用于控制上驱动管M3和下驱动管M4的导通与关断;其特征在于还包括下管检测单元(1)和上管检测单元(2);所述下管检测单元(1),通过监测充电电压VHI与充电管理芯片输入引脚SW之间的电压差对下驱动管M4进行短路检测,并输出下管短路信号VCH给逻辑驱动单元(3);所述上管检测单元(2),通过监测充电管理芯片输入引脚SW与地之间的电压差对上驱动管M3和电感进行短路检测,并输出上管短路信号VCL给逻辑驱动单元(3)。
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