[发明专利]一种响应度可调的硅光电探测器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种响应度可调的硅光电探测器及其制作方法，该硅光电探测器包括：p型硅基衬底层；n型碲离子注入层，通过于该p型硅基衬底层表面进行碲离子注入而形成；碲氧元素共掺杂的硅纳米岛层，通过于该n型碲离子注入层表面进行氧离子注入而形成；增透膜层，形成于该碲氧元素共掺杂的硅纳米岛层表面；正面接触电极和保护环接触电极，形成于该增透膜层表面；以及背面接触电极，形成于该p型硅基衬底层背面。本发明结合了硅中深能级和纳米岛结构能带调控功能，使硅光电探测器的响应度具有随反向偏压增大而增强并且响应波段向红外拓展的优异特性。

主权项

一种响应度可调的硅光电探测器，其特征在于，该硅光电探测器包括：p型硅基衬底层；n型碲离子注入层，通过于该p型硅基衬底层表面进行碲离子注入而形成；碲氧元素共掺杂的硅纳米岛层，通过于该n型碲离子注入层表面进行氧离子注入而形成；增透膜层，形成于该碲氧元素共掺杂的硅纳米岛层表面；正面接触电极和保护环接触电极，形成于该增透膜层表面；以及背面接触电极，形成于该p型硅基衬底层背面。