[发明专利]一种非真空法制备CIGS薄膜的方法有效
| 申请号： | 201310280632.3 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103367543A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 张宁;张涛;余新平;张至树;徐刚 | 申请（专利权）人： | 北京四方继保自动化股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C24/00 |
| 代理公司： | 北京金阙华进专利事务所(普通合伙) 11224 | 代理人： | 吴鸿维 |
| 地址： | 100085 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种非真空法制备CIGS薄膜的方法，包括以下步骤：（1）配粉：将高纯硒化亚铜（Cu2Se）、硒化铟（In2Se3）、硒化镓（Ga2Se3）三种粉末称量、混合，配置成所需化学计量比的混合粉末；（2）球磨：将混合粉末在高能球磨机中长时间球磨，使粉末平均粒径≤2μm；（3）配置浆料：将球磨后的粉末与醇类混合制成浆料；（4）涂覆：将浆料涂覆在衬底表面上；（5）烘烤：将涂覆后的衬底进行烘烤去除溶剂，形成CIGS前驱膜；（6）退火：在含硒气氛保护下进行退火处理，制成CIGS薄膜。本发明不采用昂贵的真空设备，投资少，工艺简单，原材料利用率高，适于大面积成膜，生产成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 法制 cigs 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种非真空法制备CIGS薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：（1）配粉：将高纯硒化亚铜（Cu2Se）、硒化铟（In2Se3）、硒化镓（Ga2Se3）三种粉末称量、混合，配置成所需化学计量比的混合粉末；（2）球磨：将混合粉末在高能球磨机中球磨，使粉末平均粒径≤2μm；（3）配置浆料：将球磨后的粉末与去离子水或醇类混合制成浆料；（4）涂覆：将浆料涂覆在衬底表面上。（5）烘烤：将涂覆后的衬底进行烘烤去除溶剂，形成CIGS前驱膜；（6）退火：在含硒气氛保护下进行退火处理，制成CIGS薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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