[发明专利]具有第一和第二功率FET的固态双向开关有效
申请号: | 201310280717.1 | 申请日: | 2013-07-05 |
公开(公告)号: | CN103531634B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | M.菲尔德沃斯;A.毛德 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H03K17/687 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 蒋骏,刘春元 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及具有第一和第二功率FET的固态双向开关。根据实施例,一种固态双向开关包括彼此反序电连接的第一和第二功率场效应晶体管。第一和第二功率场效应晶体管中的每个都包括源极区域、漏极区域、主体区域、栅极端子、漂移区域、和漂移控制区域,该主体区域与源极区域形成pn结并且具有反型沟道区域,该漂移区域在该主体区域和该漏极区域之间并且具有积累沟道区域,并且该漂移控制区域与该积累沟道区域相邻。该积累沟道区域通过该漂移控制区域可控。该固态双向开关进一步包括与第一和第二功率场效应晶体管的栅极端子连接的控制器。 | ||
搜索关键词: | 具有 第一 第二 功率 fet 固态 双向 开关 | ||
【主权项】:
一种固态双向开关,包括:彼此反序电连接的第一和第二功率场效应晶体管,所述第一和第二功率场效应晶体管中的每个都包括:源极区域;漏极区域;主体区域,其与所述源极区域形成pn结,并且包括反型沟道区域;漂移区域,其在所述主体区域和所述漏极区域之间,并且包括积累沟道区域;漂移控制区域,其与所述积累沟道区域相邻,所述积累沟道区域通过所述漂移控制区域可控以减少功率场效应晶体管的通态电阻;以及栅极端子;以及控制器,其与所述第一和第二功率场效应晶体管的所述栅极端子连接;所述控制器进一步包括第一和第二输入端子;以及所述固态双向开关进一步地包括:第一非线性电压限制元件,其将所述第一功率场效应晶体管的所述漏极区域与所述控制器的所述第一输入端子连接;以及第二非线性电压限制元件,其将所述第二功率场效应晶体管的所述漏极区域与所述控制器的所述第二输入端子连接,其中所述第一和第二功率场效应晶体管的所述源极区域彼此电连接,以形成公共源极节点,并且其中所述控制器包括与所述公共源极节点电连接的参考端子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技奥地利有限公司,未经英飞凌科技奥地利有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310280717.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类