[发明专利]具有降低的应力各向异性的薄膜在审
申请号: | 201310282017.6 | 申请日: | 2013-05-02 |
公开(公告)号: | CN103500581A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | M·朱;E·L·C·埃斯特瑞恩;田伟;V·印图瑞;M·C·考茨基 | 申请(专利权)人: | 希捷科技有限公司 |
主分类号: | G11B5/31 | 分类号: | G11B5/31;H01L43/12 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 毛力 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了具有降低的应力各向异性的薄膜。一种装置及其关联方法提供一种磁性元件,该磁性元件具有在低温基板上沉积的薄膜。该薄膜另外可以在初次退火期间经过应力调节以降低不想要的应力各向异性。该薄膜可配置成在初次退火之后具有近零内部应力。 | ||
搜索关键词: | 具有 降低 应力 各向异性 薄膜 | ||
【主权项】:
一种数据存储设备,包括薄膜,所述薄膜被沉积在低温基板上,并且在初次退火期间经过应力调节以降低不想要的应力各向异性。
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