[发明专利]一种高灵敏度的OTFTpH传感器的制作及pH检测有效
申请号: | 201310282472.6 | 申请日: | 2013-07-08 |
公开(公告)号: | CN104280443B | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
发明(设计)人: | 曾红娟;谢光忠;蒋亚东 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G01N27/414 | 分类号: | G01N27/414 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610054 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种高灵敏度的OTFT pH传感器的制作方法及用这种OTFT器件所做的pH验证。它首先是采用常用的半导体器件的制作工艺,制备出栅极带有开槽的TFT器件,并对这种器件按现有的封装工艺进行封装。通过在栅极开槽的区域采用电化学沉积电子聚合物膜,制成OTFT pH传感器。对制备的器件采用半导体特性测试仪对其在溶液中的pH敏感特性进行测试,发现在溶液的pH为2到7的范围内,OTFT器件的阈值电压与pH之间有着良好的线性关系,其直线的斜率为0.955V/pH。比普通的ISFET器件对H+的灵敏度高出15倍。 | ||
搜索关键词: | 一种 灵敏度 otft ph 传感器 制作 检测 | ||
【主权项】:
一种高灵敏度的OTFT pH传感器的制作方法,其特征在于包括下列步骤:(1)生长一定厚度的场氧化层;(2)采用正性光刻胶光刻源、漏区;(3)留胶磷注入形成源、漏区;(4)采用正性光刻胶光刻衬底接触孔;(5)留胶硼注入;(6)去胶;(7)采用正性光刻胶光刻有源区,所述有源区包括栅区、源孔区、漏孔区;(8)腐蚀SiO2层:(9)生长一定厚度的栅氧化层;(10)采用正性光刻胶光刻接触引线孔区;(11)溅射一定厚度的金属铝;(12)采用负性光刻胶反刻金属区,去除部分金属栅,制得具有开槽栅极的晶体管;(13)对制备的器件按传统的半导体工艺进行封装;(14)将封装好的具有开槽栅极的晶体管(TFT)的栅极作为工作电极,一根铂丝为对电极,饱和甘汞电极为参比电极,放进事先配好的电解液中采用电化学方法在具有开槽栅极的晶体管(TFT)的栅极沉积电子聚合物膜制成有机场效应管晶体管(OTFT)pH传感器,所述电解液包含电子聚合物单体、盐和磷酸盐缓冲溶液。
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