[发明专利]一种背面钝化电池SiO2钝化层的制备方法无效
| 申请号： | 201310282773.9 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN103400891A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 汤安民;福克斯·斯蒂芬;苗凤秀;蔡永梅;苗丽燕;刘长明;刘丽芳;谢斌;谢旭;杨金波;李仙德;陈康平;金浩 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 吴关炳 |
| 地址： | 314416 浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种背面钝化电池SiO2钝化层的制备方法，采用热氧化生长工艺，在整个工艺过程中，至少包含两步热处理。两步热处理的具体步骤如下：⑴SiO2钝化层的生长：在850℃~1000℃的温度条件下，通入氮气和氧气的混合气体，对硅片进行氧化，氧化时间在10min~90min之间，其中氧气的体积比控制在5%~50%之间；⑵低温退火：完成氧化过程后，降温到400℃~800℃，通入氮气对生成的SiO2钝化层进行退火处理，退火时间在30min~90min之间。本发明通过优化氧化过程中的温度和气体比例，以及增加在氧化后的低温退火过程来改善SiO2钝化层的质量，从而提高钝化效果最终获得硅太阳能电池效率的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背面 钝化 电池 sio sub 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种背面钝化电池SiO2钝化层的制备方法，采用热氧化生长工艺，其特征在于，在整个工艺过程中，至少包含两步热处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
