[发明专利]无机纳米晶/共轭聚合物杂化太阳能电池的制备方法

摘要

本发明涉及一种无机纳米晶/共轭聚合物杂化太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：S1，提供一太阳能电池导电基底；S2,通过PECVD方法在一生长基底表面沉积硅纳米晶薄膜；S3，通过机械法将该硅纳米晶薄膜从该生长基底表面分离；S4，机械粉碎从生长基底表面分离的该硅纳米晶薄膜，得到硅纳米晶粉末；S5，将该硅纳米晶粉末与共轭聚合物在有机溶剂中混合，形成混合液；S6，超声振荡该混合溶液，使硅纳米晶均匀分散在该混合液中；S7，将该混合液涂覆在该太阳能电池导电基底表面，形成硅纳米晶/共轭聚合物层；以及S8，在该硅纳米晶/共轭聚合物层表面设置第二电极；其中，步骤S3~S7均在保护气体中进行。

主权项

一种无机纳米晶/共轭聚合物杂化太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：S1，提供一太阳能电池导电基底，该太阳能电池导电基底包括一绝缘衬底、设置在该绝缘衬底表面的第一电极以及覆盖该第一电极的缓冲层；S2, 通过PECVD方法在一生长基底表面沉积硅纳米晶薄膜；S3，通过机械法将该硅纳米晶薄膜从该生长基底表面分离；S4，机械粉碎从生长基底表面分离的该硅纳米晶薄膜，得到硅纳米晶粉末；S5，将该硅纳米晶粉末与共轭聚合物在有机溶剂中混合，形成混合液；S6，超声振荡该混合溶液，使硅纳米晶均匀分散在该混合液中；S7，将该混合液涂覆在该太阳能电池导电基底表面，形成硅纳米晶/共轭聚合物层，该硅纳米晶/共轭聚合物层覆盖该缓冲层；以及S8，在该硅纳米晶/共轭聚合物层表面设置第二电极；其中，步骤S3~S7均在保护气体中进行。