[发明专利]光刻的迭对值校准方法有效
| 申请号： | 201310284581.1 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104281019A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 刘达 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种光刻的迭对值校准方法，包括：提供测量晶圆，所述测量晶圆具有一个测量非补偿迭对区和至少一个的测量补偿迭对区，所述测量补偿迭对区上具有第一凹槽，所述测量晶圆和第一凹槽内沉积形成有外延层，所述外延层具有与所述第一凹槽相对应的第二凹槽，所述第一凹槽与第二凹槽之间具有沉积偏移量；测量每个所述测量补偿迭对区的沉积偏移量；提供待校准晶圆，所述待校准晶圆具有一个待校准非补偿迭对区和至少一个的待校准补偿迭对区；根据每个所述沉积偏移量对相应的所述待校准补偿迭对区的迭对测量数据进行补偿，得到补偿迭对测量数据。采用本发明的光刻的迭对值校准方法，能够解决现有技术中晶圆边缘部分的迭对校准无法控制的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 校准 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻的迭对值校准方法，包括：步骤一：提供测量晶圆，所述测量晶圆具有一个测量非补偿迭对区和至少一个的测量补偿迭对区，所述测量补偿迭对区上具有第一凹槽，所述测量晶圆和第一凹槽内沉积形成有外延层，所述外延层具有与所述第一凹槽相对应的第二凹槽，所述第一凹槽与第二凹槽之间具有沉积偏移量；步骤二：分别测量每个所述测量补偿迭对区的沉积偏移量；步骤三：提供待校准晶圆，所述待校准晶圆具有一个待校准非补偿迭对区和至少一个的待校准补偿迭对区，所述待校准非补偿迭对区与所述测量非补偿迭对区相对应，所述待校准补偿迭对区与所述测量补偿迭对区相对应；步骤四：分别根据每个所述沉积偏移量对相应的所述待校准补偿迭对区的迭对测量数据进行补偿，得到补偿迭对测量数据。
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