[发明专利]基于双重反馈结构的AB类输出级的运算放大器有效

专利信息
申请号: 201310284797.8 申请日: 2013-07-08
公开(公告)号: CN104283516B 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: 池保勇;张欣旺;王志华 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司11002 代理人: 王莹
地址: 100084 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种基于双重反馈结构的AB类输出级的运算放大器,包括输入级电路、输出级电路、共模反馈电路和双重反馈结构。采用反馈结构和前馈结构组合的方法,实现了运算放大器带宽的扩展,同时保证了足够的相位裕度;采用AB类输出级,提高了运算放大器的驱动能力。该运算放大器可以工作在较低电源电压(1.2V)下,具有高带宽,低功耗和强驱动能力的特点。
搜索关键词: 基于 双重 反馈 结构 ab 输出 运算放大器
【主权项】:
一种基于双重反馈结构的AB类输出级的运算放大器,其特征在于,包括:输入级电路,用于输入电压信号;AB类输出级电路,电压信号经输入级电路输出至AB类输出级电路,提供运算放大器的输出电压信号;共模反馈电路,所述输出电压信号经共模反馈电路反馈至输入级电路;双重反馈结构,所述输出电压信号经双重反馈结构反馈至输入级电路和AB类输出级电路;所述的输入级电路,由场效应管M5、M1a、M1b、M3a和M3b组成:其中,场效应管M5为输入级电路提供偏置电流,场效应管M5的栅极电压为VB,场效应管M5的源极连接电源VDD,场效应管M5的漏极连接场效应管M1a和M1b的源极;其中,场效应管M1a和M1b为运算放大器的输入场效应管,场效应管M1a和M1b的栅极电压分别为Vin和Vip,场效应管M1a和M1b的源极共同连接场效应管M5的漏极,场效应管M1a的漏极连接场效应管M3a的漏极,场效应管M1b的漏极连接场效应管M3b的漏极;其中,场效应管M3a和M3b为输入级电路的负载,同时作为共模反馈电路的一部分,场效应管M3a和M3b的栅极共同连接OPA的输出端,场效应管M3a的漏极连接场效应管M1a的漏极,场效应管M3b的漏极连接场效应管M1b的漏极,场效应管M3a和M3b的源极共同连接至地VSS;所述的输出级电路,由场效应管M4a、M4b、M2a、M2b、电阻REa、电容CEa、电阻REb和电容CEb组成:其中,场效应管M2a的栅极连接至场效应管M3a的漏极,M2b的栅极连接至场效应管M3b的漏极,场效应管M2a和M2b的源极共同连接至地VSS,场效应管M2a漏极连接至场效应管M4a的漏极,效应管M3a的漏极连接至场效应管M4b的漏极;其中,场效应管M4a的栅极连接至电阻REa与电容CEa的公共连接点,M4b的栅极连接至电阻REb与电容CEb的公共连接点,场效应管M4a和M4b的源极共同连接至电源VDD,场效应管M4a漏极连接至场效应管M2a的漏极,场效应管M4b的漏极连接至场效应管M2b的漏极;其中,电阻REa的一端连接至直流偏置电压VB,另一端连接至电容CEa;其中,电容CEa的一端连接至场效应管M3a的漏极,另一端连接至电阻REa;其中,电阻REb的一端连接至直流偏置电压VB,另一端连接至电容CEb;其中,电容CEb的一端连接至场效应管M3b的漏极,另一端连接至电阻REb。
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