[发明专利]一种水热法制备Sm2O3 纳米阵列的方法

摘要

一种水热法制备Sm2O3纳米阵列的方法，将SmCl3·6H2O加入去离子水中得透明溶液；调节透明溶液的pH调节至4.5～5.5后再加入聚乙烯醇水溶液得镀膜液；在ITO导电玻璃基板表面均匀涂覆一层镀膜液后干燥并热处理；将分析纯SmCl3·6H2O加入去离子水中再用调节其pH调至5.0～5.8作为生长液；将上述生长液倒入水热釜中，将经过热处理后的ITO导电玻璃基板浸入其中，密封水热釜，放入电热真空干燥箱中，反应结束后自然冷却至室温；取出基板，洗涤后真空干燥即在基板表面获得Sm2O3纳米阵列。本发明制备Sm2O3纳米阵列的反应在液相中完成，不需要进行后期的晶化热处理，从而避免了Sm2O3纳米阵列在热处理过程中可能导致的卷曲、干裂、晶粒粗化以及薄膜与衬底或气氛反应等缺陷。

主权项

一种水热法制备Sm2O3纳米阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将分析纯SmCl3·6H2O加入30mL去离子水中，搅拌制得Sm3+浓度为0.05～0.20mol/L的透明溶液；步骤二：用氨水溶液将上述透明溶液的pH调节至4.5～5.5，搅拌后形成溶胶，向其中加入0.2～1.2mL聚乙烯醇水溶液，搅拌均匀后作为镀膜液；步骤三：在清洗干净的ITO导电玻璃基板表面均匀涂覆一层镀膜液后，置于高温干燥箱中，先于50～70℃下烘干，再于300～500℃高温下热处理1～3h；步骤四：将分析纯SmCl3·6H2O加入去离子水中，搅拌制得Sm3+浓度为0.01～0.15mol/L的透明溶液，再用5%的氨水溶液将上述透明溶液的pH调至5.0～5.8作为生长液；步骤五：将上述生长液倒入水热釜中，填充度控制在60％～80%，将经过热处理后的ITO导电玻璃基板浸入其中，密封水热釜，放入电热真空干燥箱中，在120～240℃下反应6～45h，反应结束后自然冷却至室温；步骤六：打开水热釜，取出基板，分别用去离子水和无水乙醇冲洗后置于50～80℃的真空干燥箱内干燥，即在基板表面获得Sm2O3纳米阵列。