[发明专利]一种倒锥阵列三维细胞定位培养芯片及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310284955.X 申请日: 2013-07-08
公开(公告)号: CN103333802A 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 叶芳;郝艳鹏;魏晨;谢晋;蒋瑾;高洁 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C12M3/00 分类号: C12M3/00
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 吕湘连
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种倒锥阵列三维细胞定位培养芯片及其制备方法,属于生物微机电系统领域。该芯片包含阵列分布的倒锥,相邻倒锥之间分布有空腔,各相邻空腔之间有微沟槽相连接;所述芯片基于倒锥阵列硅模板及PDMS完成,其模板采用湿法刻蚀技术完成,其PDMS芯片采用复制模塑技术完成。本发明的有益效果:直接在硅片上湿法刻蚀出倒锥阵列结构,通过复制模塑技术,在PDMS表面构建锥形基底,利用细胞自重,使细胞滑入大小适中的空腔内,实现细胞长时间定位培养。同时,采用空腔之间具有微沟槽连接的图型化设计,使芯片不仅可用于细胞培养,亦可用于细胞间相互作用的研究。该芯片将为贴壁依赖型细胞研究及行为控制、理解细胞功能等提供强有力的工具。
搜索关键词: 一种 阵列 三维 细胞 定位 培养 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种三维细胞定位培养芯片,材质为PDMS,其特征在于:所述芯片包含阵列分布的倒锥(1),相邻倒锥(1)之间分布有空腔(2),使得所述倒锥(1)阵列和空腔(2)阵列交错分布;各相邻空腔(2)之间有微沟槽(3)相连接,微沟槽(3)与空腔(2)底面齐平;空腔(2)最大内切圆直径满足:,其中,是待培养细胞(4)的平均直径;空腔(2)底面与锥尖高度差h满足:h≥h0,其中,h0是待培养细胞(4)的高度平均值;相邻两个空腔(2)间的距离l,即空腔(2)中心线之间的距离满足:当应用于细胞接触性连接研究时,;当应用于细胞非接触性连接研究时,,其中,l0是待培养细胞(4)突触长度的平均值;所述微沟槽(3)均匀分布,宽度b满足:0.5μm≤b≤10μm。
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