[发明专利]高分辨率沟槽图形的形成方法

摘要

本发明的高分辨率沟槽图形的形成方法，包括：提供一个半导体衬底，在半导体衬底上依次形成目标材料层、第一硬掩膜层、第二硬掩膜层、第一底部抗反射层和第一光刻胶；经第一次光刻，在第一光刻胶内形成第一光刻胶主图形和第一光刻胶旁瓣图形；经刻蚀，在第二硬掩膜层内形成第一主图形和第一旁瓣图形；在第二硬掩膜层上涂覆第二光刻胶；经第二次光刻，在第二光刻胶内形成第二光刻胶主图形和第二光刻胶旁瓣图形；第二光刻胶主图形位于第一旁瓣图形区域的上方，第二光刻胶旁瓣图形位于第一主图形区域的上方；采用自对准技术，将第一旁瓣图形和第二光刻胶旁瓣图形刻蚀传递至目标材料层中，形成沟槽图形。本发明形成了小线宽沟槽图形，提高了其分辨率。

主权项

一种高分辨率沟槽图形的形成方法，其特征在于，包括：步骤S01：提供一个半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成目标材料层、第一硬掩膜层、第二硬掩膜层、第一底部抗反射层和第一光刻胶；步骤S02：经第一次光刻，在所述第一光刻胶内形成第一光刻胶主图形和第一光刻胶旁瓣图形；步骤S03：经刻蚀，在所述第二硬掩膜层内形成第一主图形和第一旁瓣图形；步骤S04：在所述第二硬掩膜层上涂覆第二光刻胶；步骤S05：经第二次光刻，在所述第二光刻胶内形成第二光刻胶主图形和第二光刻胶旁瓣图形；其中，所述第二次光刻相对于所述第一次光刻发生位置偏移，所述的第二光刻胶主图形位于所述第一旁瓣图形区域的上方，所述的第二光刻胶旁瓣图形位于所述第一主图形区域的上方；步骤S06：采用自对准技术，将所述第一旁瓣图形和所述第二光刻胶旁瓣图形刻蚀传递至所述目标材料层中，形成所述高分辨率沟槽图形；其中，所述第一主图形和所述第一旁瓣图形分别与所述第一光刻胶主图形和所述第一光刻胶旁瓣图形相同；所述沟槽图形由与所述的第一旁瓣图形相同的第一沟槽图形和与所述的第二光刻胶旁瓣图形相同的第二沟槽图形构成。