[发明专利]解决超级结产品保护环场氧侧壁多晶硅残留的方法有效
| 申请号： | 201310285072.0 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104282542B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 陆峰;徐丹 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种解决超级结产品保护环场氧侧壁多晶硅残留的方法，包括1）在外延衬底上生长保护环场氧后，用光刻胶定义出保护环场氧区域，刻蚀出保护环场氧侧壁；2）去除光刻胶，在外延衬底和保护环场氧的表面淀积二氧化硅；3）刻蚀二氧化硅，仅在保护环场氧侧壁上形成一层二氧化硅侧墙；4）生长栅极氧化膜，并通过生长栅极氧化膜的生长工艺使二氧化硅侧墙致密化；5）淀积栅极多晶硅；6）通过光刻胶曝光和刻蚀，刻出多晶硅栅极，并去除保护环场氧侧壁的多晶硅残留。本发明解决了传统工艺中多晶硅在场氧侧壁上因纵向厚度过厚而无法在多晶硅刻蚀时去除干净的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 解决 超级 产品 保护环 侧壁 多晶 残留 方法 | ||
【主权项】：
一种解决超级结产品保护环场氧侧壁多晶硅残留的方法，其特征在于，包括步骤：1）在外延衬底上生长保护环场氧后，用光刻胶定义出保护环场氧区域，刻蚀出保护环场氧侧壁；2）去除光刻胶，在外延衬底和保护环场氧的表面淀积一层二氧化硅；3）刻蚀步骤2）淀积的二氧化硅，仅在保护环场氧侧壁上形成一层坡度低于60°的二氧化硅侧墙；4）在外延衬底、二氧化硅侧墙和保护环场氧的表面，生长栅极氧化膜，并通过生长栅极氧化膜的生长工艺使二氧化硅侧墙致密化；5）在栅极氧化膜表面，淀积栅极多晶硅，其中，在二氧化硅侧墙表面上方形成纵向厚度低于两倍淀积厚度的多晶硅；6）通过光刻胶曝光和刻蚀，刻出多晶硅栅极，并去除保护环场氧侧壁的多晶硅残留。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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