[发明专利]一种氮化硅铝介质层低辐射薄膜及其制备工艺无效
| 申请号： | 201310285386.0 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN103395239A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 黄佳木;香承杰;李少辉;张兴元;赵小丽;覃丽禄 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | B32B9/04 | 分类号： | B32B9/04;B32B15/04;B32B15/085;B32B15/09;B32B17/00;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 一种氮化硅铝介质层低辐射薄膜及其制备工艺，属于功能薄膜技术领域。本发明采用磁控溅射法制备一种氮化硅铝介质层低辐射薄膜，其膜层结构从衬底基片往上依次为：钽过渡层、银层、氮化硅铝介质层。该膜层可见光透过率高，红外辐射率低，拥有较长的使用寿命。本发明制备工艺简单，操作方便，生产成本低廉，具有很好的工业化应用前景。可广泛应用于节能建筑玻璃、汽车玻璃等行业，降低玻璃热损，减少调控室温的能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 介质 辐射 薄膜 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种氮化硅铝介质层低辐射薄膜及其制备工艺，其特征在于膜层结构从衬底基片往上依次为钽过渡层/银层/氮化硅铝介质层的三明治结构。
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