[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。当通过缩小存储器单元而减小隔离区的宽度，以减小在存储器单元和相邻存储器单元之间的距离时，被注入到存储器单元的电荷存储膜中的电子或空穴扩散到位于隔离区上方的电荷存储膜的部分中，从而彼此相互干扰，并且可能损害存储器单元的可靠性。在半导体器件中，存储器单元的电荷存储膜延伸至位于相邻存储器单元之间的隔离区。隔离区中的电荷存储膜的有效长度大于隔离区的宽度。这里，有效长度指示位于隔离区上方且没有存储电荷的电荷存储膜的区域的长度。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有主表面；多个存储器单元，所述存储器单元每个均存在于所述半导体衬底的选择的区域中；以及隔离区，所述隔离区位于与其为相邻关系的所述存储器单元之间，以在所述存储器单元之间提供隔离，其中所述存储器单元的每一个具有位于所述半导体衬底的所述主表面上方的电荷存储膜，以及位于所述电荷存储膜上方的存储器栅极，其中所述隔离区的上表面存在于所述半导体衬底的所述主表面下方的位置，其中所述存储器单元的所述电荷存储膜和所述存储器栅极在所述隔离区上方延伸至相邻的存储器单元，并且其中位于所述隔离区上方且没有存储电荷的所述电荷存储膜的区域的长度大于所述隔离区的宽度。