[发明专利]一种改善光刻对位能力的方法在审
| 申请号： | 201310285937.3 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104281020A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 胡骏 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种改善光刻对位能力的方法，其特征在于，包括如下步骤：1）在硅衬底上形成零层光刻对准标记图形；2）通过刻蚀工艺在硅衬底上刻蚀出深度为 |
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| 搜索关键词： | 一种 改善 光刻 对位 能力 方法 | ||
【主权项】：
一种改善光刻对位能力的方法，其特征在于，包括如下步骤：1）在硅衬底上形成零层光刻对准标记图形；2）通过刻蚀工艺在硅衬底上刻蚀出深度为500～1000埃沟槽；3）对硅片进行后道工序。
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