[发明专利]薄膜晶体管结构、其制造方法以及薄膜晶体管发光元件结构在审
| 申请号： | 201310286436.7 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN104241211A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王怡凯;胡堂祥;高启仁 | 申请（专利权）人： | 纬创资通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张然;李昕巍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管结构、其制造方法以及薄膜晶体管发光元件结构，其中薄膜晶体管结构内含图案化第一导体层、图案化半导体层、图案化绝缘层、图案化第二导体层以及第一阻水氧层，图案化第一导体层位于基板上；图案化半导体层、图案化绝缘层，以及图案化第二导体层设置于图案化第一导体层上；第一阻水氧层覆盖图案化第二导体层以及图案化绝缘层，以保护图案化第二导体层免受水气侵蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 结构 制造 方法 以及 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管结构制造方法，包含：提供一基板；于该基板上形成一图案化第一导体层；于形成该图案化第一导体层之后形成一图案化半导体层、一图案化绝缘层，以及一图案化第二导体层，其中该图案化绝缘层接触该图案化第二导体层；以及形成一第一阻水氧层，其中该第一阻水氧层覆盖该图案化第二导体层与该图案化绝缘层。
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