[发明专利]新型结构的氮化镓肖特基二极管及其制造方法

摘要

本发明提供了一种新型结构的氮化镓肖特基二极管及其制造方法，该肖特基二极管具有垂直结构，在阳极的肖特基电极下加入了p型重掺杂的硅或锗区域，边缘保护也采用了p型重掺杂的硅或锗区域，阴极的欧姆接触在器件的背面，使得肖特基二极管正向可以通过更大的电流，反向的漏电又得到了大幅降低，提高了肖特基二极管的反向耐压和功率，简化了器件工艺，降低了制作难度。

主权项

一种GaN肖特基二极管的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：提供一衬底，在所述衬底上沉积成核层和/或缓冲层；在所述成核层和/或缓冲层上沉积重掺杂n型GaN层；在所述重掺杂n型GaN层上沉积轻掺杂n型GaN层；在所述轻掺杂n型GaN层表面上沉积第一隔离层，保护阳极区域；在所述第一隔离层及下方的轻掺杂n型GaN层中刻蚀凹槽；在所述凹槽中沉积p型重掺杂的硅或锗；去掉第一隔离层；沉积第二隔离层；退火形成多晶的p型重掺杂的硅或锗区域；制备阳极，阳极由两部分组成，先在多晶的p型重掺杂的硅或锗区域沉积金属并退火形成欧姆接触，再在轻掺杂n型GaN层沉积金属并退火形成肖特基接触，轻掺杂n型GaN层表面沉积绝缘层；在所述衬底上定义有阴极区域，在阴极区域刻蚀开孔；在所述开孔的阴极区域中沉积与所述重掺杂n型GaN层相接触的阴极金属，退火形成欧姆接触的阴极。