[发明专利]双极性晶体管在审
| 申请号： | 201310286503.5 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN103545357A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 郭俊聪;刘世昌;蔡嘉雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/732;H01L29/737;H01L29/08 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郝新慧;张浴月 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双极性晶体管(bipolar junction transistor,BJT)。在一实施例中，双极性晶体管装置包括：具有集电极区(collector region)的半导体基板，及暴露在半导体基板上的材料层。材料层中具有沟槽，而暴露出集电极区的一部分。在材料层的沟槽中暴露出基极结构(base structure)、间隙物、发射极结构(emitter structure)。各间隙物具有顶宽(top width)及底宽(bottom width)，上宽大体上与底宽相等。本发明提供装置性能的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 晶体管 | ||
【主权项】：
一种双极性晶体管，包括：一半导体基板，具有一集电极区；一材料层，包括一半导体层设置在该半导体基板上，以及在该半导体层上设置一介电层，其中该材料层具有以沟槽，而暴露出该集电极区的一部分；以及一基极结构、一间隙物、及一发射极结构，设置在该材料层的该沟槽中，其中：该基极结构具有侧壁部分设置在该沟槽的侧壁上，以及一底部设置在该集电极区该暴露部分上；该间隙物设置在邻近该基极结构的该侧壁部分，各间隙物具有一顶宽及一底宽，该顶宽大体与该底宽相等，以及该发射极结构设置在邻近该间隙物以及在该基极结构的该底部上。
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