[发明专利]鳍型场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310286545.9 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN104282571A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑;陈大鹏;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波;何平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种鳍型场效应晶体管的及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成栅极堆叠，所述栅极堆叠依次包括栅下介质层和栅极材料层；在所述栅极堆叠两侧形成侧墙；形成贯穿栅极材料层和侧墙的鳍空位；在鳍空位中形成栅极介质层；形成位于鳍空位中的鳍结构以及位于鳍结构两侧的源漏区。本发明能够简单、高效地形成用于隔离栅极堆叠和源/漏区的高质量侧墙，有效提高器件生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍型场效应晶体管的制造方法，包括：a）提供半导体衬底（100）；b）在半导体衬底（100）上形成栅极堆叠，所述栅极堆叠依次包括栅下介质层（200）和栅极材料层（300）；c）在所述栅极堆叠两侧形成侧墙（310）；d）形成贯穿栅极材料层和侧墙的鳍空位；e）在鳍空位中形成栅极介质层（400）；f）形成位于鳍空位中的鳍结构以及位于鳍结构两侧的源漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
