[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体结构的制造方法，其特征在于，该方法包括a）提供半导体衬底，所述衬底上有绝缘层，在所述绝缘层上有单原子层或双原子层硅沟道层；b）对所述的单原子层或双原子层硅沟道层进行图形化，形成各个场效应晶体管对应的沟道区；c）在所述沟道层边缘处和绝缘层上形成源/漏区；d）在所述沟道层上形成栅介质和栅极。相应地，本发明还提供了一种半导体结构。本发明中，采用单原子层硅或双原子层硅作为场效应晶体管的沟道材料，可以利用单原子层或双原子层硅的量子限制效应，改变其能带结构，设计出新型的纳米电子器件。

主权项

一种半导体结构的制造方法，其特征在于，该方法包括：a)提供半导体衬底(100)，所述衬底(100)上有绝缘层(110)，在所述绝缘层(110)上具有由单原子层或双原子层硅构成的沟道层(200)，所述半导体衬底(100)和绝缘层(110)和沟道层的形成方法为：将SOI硅片的体型硅衬底和埋氧层通过化学机械抛光或刻蚀技术将SOI片正面硅膜减薄到1～2个原子层，形成单原子层或双原子层硅沟道层(200)；b)对所述的单原子层或双原子层硅的沟道层(200)进行图形化，形成各个场效应晶体管对应的沟道区；c)在所述沟道层边缘处(200)和绝缘层(110)上形成源/漏区(300)；d)在所述沟道层(200)上形成栅介质(400)和栅极(410)。