[发明专利]聚乙撑二氧噻吩纳米管阵列及管内独站立纳米线薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201310287207.7 | 申请日： | 2013-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103343372A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 张延宗;钟建丹;李金鑫;刘艺豪;邓仕槐;沈飞;杨刚;张小洪;李黎;李远伟 | 申请（专利权）人： | 四川农业大学 |
| 主分类号： | C25D9/02 | 分类号： | C25D9/02;C25D11/26 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 管高峰;吴彦峰 |
| 地址： | 625014 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种聚乙撑二氧噻吩纳米管阵列及管内独站立纳米线薄膜及其制备方法和应用，该薄膜为具有整齐有序且按阵列排列的纳米孔的聚乙撑二氧噻吩，且所述纳米孔内有独立站立聚乙撑二氧噻吩纳米线，所述薄膜透明且不溶于水。制备方法依次包括以下步骤：二次阳极氧化得到独立分离的TiO2纳米管阵列；以该独立分离的TiO2纳米管阵列为阳极，铂丝为阴极，进行恒电位或恒电流电聚合，得到在TiO2纳米管阵列管内外空间填充聚乙撑二氧噻吩的复合材料，用氢氟酸去除TiO2纳米管阵列，得到具有整齐有序且按阵列排列的纳米孔的聚乙撑二氧噻吩。该复合材料可以作为透明电极材料，在有机薄膜太阳能电池、抗静电涂层、有机光电子、电致变色、固体电解电容器领域的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 聚乙撑 二氧 噻吩 纳米 阵列 管内独 站立 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种聚乙撑二氧噻吩纳米管阵列及管内独站立纳米线薄膜，其特征在于：该薄膜为具有整齐有序且按阵列排列的纳米孔的聚乙撑二氧噻吩，且所述纳米孔内有独立站立聚乙撑二氧噻吩纳米线，所述薄膜透明且不溶于水。
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