[发明专利]一种快速起振晶体振荡器

摘要

本发明公开了一种快速起振晶体振荡器，包括主振荡电路、辅助振荡支路和偏置电路，利用晶振的缓冲放大器的一部分增益，用来补充振荡频率处的环路增益，显著提高了谐振频率处的环路增益，提高了起振速度。该振荡器上电启动后，产生电压阶跃中振荡频率处的微弱信号分量被环路快速放大，最后趋于稳定得到一个稳定的信号。由于该晶体振荡器环路增益高，所以对微小频率分量放大的速度快，因此本发明相对于传统晶体振荡器具有起振速度快的特点。

主权项

一种快速起振晶体振荡器，其特征在于：包括主振荡电路、辅助振荡支路和偏置电路：所述主振荡电路采用pierce结构，包括晶振CI、第零电阻R0、第一电容C1、第一NMOS管M1和第二电容C2；所述晶振CI的一端、第零电阻R0的一端、第一电容C1的一端和第一NMOS管M1的栅极相接，晶振CI的另一端、第零电阻R0的另一端、第一NMOS管M1的漏极和第二电容C2的一端相接于a接点，第一电容C1的另一端、第一NMOS管M1的漏极和第二电容C2的另一端接地；所述辅助振荡支路包括第三电容C3、第二PMOS管M2、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4、第五PMOS管M5、第一电阻R1、第六NMOS管M6、第二电阻R2和第四电容C4；所述第二PMOS管M2的漏极和第三电容C3的一端相接于a接点，第二PMOS管M2的栅极、第二电阻R2的一端和第四电容C4的一端相接，第三PMOS管M3的栅极、第四PMOS管M4的漏极和第五PMOS管M5的源极相接，第五PMOS管M5的漏极、第一电阻R1的一端、第六NMOS管M6的漏极和第四电容C4的另一端相接，第五PMOS管M5的栅极、第一电阻R1的另一端、第三电容C3的另一端和第六NMOS管M6的栅极相接，第二PMOS管M2的源极、第三NMOS管M3的源极、第三NMOS管M3的漏极和第四PMOS管M4的源极接电源，第四PMOS管M4的栅极和第二电阻R2的另一端相接于b接点，第六NMOS管M6的源极接地；所述偏置电路包括第七PMOS管M7、第八PMOS管M8、第九PMOS管M9、第十PMOS管M10、第十一PMOS管M11、第十二PMOS管M12、第十三PMOS管M13和第十四PMOS管M14；所述第七PMOS管的栅极、第七PMOS管的漏极和第八PMOS管M8的源极相接于b接点，第七PMOS管的源极接电源，第八PMOS管M8的漏极接第九PMOS管M9的源极，第九PMOS管M9的漏极接第十PMOS管M10的源极，第十PMOS管M10的漏极接第十一PMOS管M11的源极，第十一PMOS管M11的漏极接第十二PMOS管M12的源极，第十二PMOS管M12的漏极接第十三PMOS管M13的源极，第十三PMOS管M13的漏极接第十四PMOS管M14的源极，第八PMOS管M8的栅极、第九PMOS管M9的栅极、第十PMOS管M10的栅极、第十一PMOS管M11的栅极、第十二PMOS管M12的栅极、第十三PMOS管M13的栅极、第十四PMOS管M14的栅极和第十四PMOS管M14的漏极接地。