[发明专利]ITO粉末及其制造方法、以及分散液及ITO膜的制造方法有效
| 申请号： | 201310287607.8 | 申请日： | 2013-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103693678A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 米泽岳洋;山崎和彦;竹之下爱 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00;C03C17/23 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在低压下成为压坯时显示出高导电性的表面改性的ITO粉末及其制造方法、以及分散液及ITO膜的制造方法。本发明的表面改性的ITO粉末，对由该ITO粉末构成的压坯施加0.98MPa的压力时的所述压坯的电阻率为0.50Ω·cm以下，将对所述压坯施加0.196～29.42MPa的压力时的所述压坯的体积电阻率设为Y且所述压力设为X时，所述压力与所述体积电阻率之间的关系近似Y=aXn，a为5.00以下，且n为-0.500以下。 | ||
| 搜索关键词： | ito 粉末 及其 制造 方法 以及 分散 | ||
【主权项】：
一种表面改性的ITO粉末，其特征在于，对由所述ITO粉末构成的压坯施加0.98MPa的压力时的所述压坯的体积电阻率为0.50Ω·cm以下，将对所述压坯施加0.196～29.42MPa的压力时的所述压坯的体积电阻率设为Y且所述压力设为X时，所述压力与所述体积电阻率之间的关系以下述公式（1）来拟合，在该公式（1）中，a为5.00以下，且n为‑0.500以下，Y=aXn （1）。
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