[发明专利]一种MoS2/ZnIn2S4纳米片复合材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310289138.3 申请日: 2013-07-10
公开(公告)号: CN103331175A 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 陈亚杰;付宏刚;田国辉 申请(专利权)人: 黑龙江大学
主分类号: B01J27/047 分类号: B01J27/047;C01B3/04
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 牟永林
地址: 150080 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种MoS2/ZnIn2S4纳米片复合材料的制备方法,本发明涉及复合材料的制备方法。本发明要解决现有单一ZnIn2S4光催化剂光催化活性较低的问题。方法:一、将片层MoS2与无水乙醇混合;二、加入到铟盐、硫源、锌盐、多元醇和无水乙醇的混合溶液中;三、反应,洗涤,干燥。本发明实现了MoS2/ZnIn2S4纳米片复合材料的可控制备;制备的MoS2/ZnIn2S4纳米片复合材料具有很好的稳定性。本发明用于制备MoS2/ZnIn2S4纳米片复合材料。
搜索关键词: 一种 mos sub znin 纳米 复合材料 制备 方法
【主权项】:
一种MoS2/ZnIn2S4纳米片复合材料的制备方法,其特征在于一种MoS2/ZnIn2S4纳米片复合材料的制备方法,具体是按照以下步骤进行的:一、将片层MoS2放入无水乙醇中进行超声处理,超声处理时间为0.5h~2h,得到混合物A;二、将步骤一得到的混合物A加入到铟盐、硫源、锌盐、多元醇和无水乙醇的混合溶液中,再搅拌均匀,得到混合物B;三、将步骤二得到的混合物B放入衬底为聚四氟乙烯的反应釜中,加热至160℃~190℃,保持8h~25h,再自然冷却至室温,然后用无水乙醇洗涤,得到沉淀物,再将沉淀物干燥,得到MoS2/ZnIn2S4纳米片复合材料。
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