[发明专利]一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201310289822.1 | 申请日： | 2013-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN104282555B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 王万礼;王根毅;邓小社;芮强 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法，包括，提供第一导电类型的半导体衬底，该半导体衬底具有第一主面和第二主面；在所述半导体衬底的第一主面形成第一导电类型的离子注入层；在所述半导体衬底的第一主面外延形成第一导电类型的漂移区；将所述离子注入层形成场终止层；基于所述漂移区形成所述绝缘栅双极性晶体管的第一主面结构；自所述半导体衬底的第二主面开始减薄所述半导体衬底直到露出所述场终止层；在形成有所述场终止层的所述半导体衬底的第二主面继续形成所述绝缘栅双极性晶体管的剩余第二主面结构。本发明不需要专用设备，现有NPT生产设备就可以完成整个流程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 极性 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法，其特征在于：包括，提供第一导电类型的半导体衬底，该半导体衬底具有第一主面和第二主面；在所述半导体衬底的第一主面形成第一导电类型的离子注入层；在所述半导体衬底的第一主面外延形成第一导电类型的漂移区；高温推阱基于所述离子注入层形成场终止层；基于所述漂移区形成所述绝缘栅双极性晶体管的第一主面结构；自所述半导体衬底的第二主面开始减薄所述半导体衬底直到露出所述场终止层；在形成有所述场终止层的所述半导体衬底的第二主面继续形成所述绝缘栅双极性晶体管的剩余第二主面结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
