[发明专利]在SGT MOSFET中灵活调节CRSS以平滑波形避免直流-直流器件中电磁干扰有效
| 申请号： | 201310290017.0 | 申请日： | 2013-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103633068A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 潘继;伍时谦;安荷·叭剌;王晓彬 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州94*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 种由多个功率晶体管晶胞构成的半导体功率器件，每个功率晶体管晶胞都具有一个沟槽式栅极，设置在栅极沟槽中，其中沟槽式栅极包括一个屏蔽底部电极，设置在栅极沟槽底部，通过一个中间电极绝缘层，与设置在栅极沟槽顶部的顶部栅极电极相隔离。至少一个晶体管晶胞含有屏蔽底部电极，作为源极-连接屏蔽底部电极，电连接到半导体功率器件的源极电极，至少一个晶体管晶胞具有屏蔽底部电极，作为一个栅极-连接屏蔽底部电极，电连接到半导体功率器件的栅极金属上。 | ||
| 搜索关键词： | sgt mosfet 灵活 调节 crss 平滑 波形 避免 直流 器件 电磁 干扰 | ||
【主权项】：
一种含有多个功率晶体管晶胞的半导体功率器件，每个功率晶体管晶胞都具有一个沟槽式栅极，设置在栅极沟槽中，其中所述的沟槽式栅极包括一个屏蔽底部电极，设置在栅极沟槽的底部，通过中间电极绝缘层，与设置在栅极沟槽顶部的顶部栅极电极相隔离，其特征在于，其中：至少一个晶体管晶胞含有屏蔽底部电极，作为源极‑连接屏蔽底部电极，电连接到半导体功率器件的源极电极，至少一个晶体管晶胞含有屏蔽底部电极，作为栅极‑连接屏蔽底部电极，电连接到半导体功率器件的栅极金属。
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