[发明专利]基于双基准双比较零点的通用变频器低速性能死区补偿方法

摘要

本发明公开了一种基于双基准双比较零点的通用变频器低速性能死区补偿方法，包括以下步骤：A1、系统初始化设置比较零点为512；A2、进入PWM中断程序；A3、判断霍尔电流传感器的AD转换值和比较零点的大小，AD转换值大于比较零点，电流正向，正补偿；AD转换值小于比较零点，电流负向，负补偿；A4、计算出的脉宽值，赋值到脉宽寄存器，波形自动生成。本发明通过增加两个基准零点并且可以动态调整使低速死区补偿更准确。

主权项

一种基于双基准双比较零点的通用变频器低速性能死区补偿方法，其特征在于，包括以下步骤：A1、系统初始化设置比较零点为512；A2、进入PWM中断程序；A3、判断霍尔电流传感器的AD转换值和比较零点的大小，AD转换值大于比较零点，电流正向，正补偿；AD转换值小于比较零点，电流负向，负补偿；所述正补偿，脉宽值减去补偿时间，判断AD值与下零点的大小，大于下零点，设置比较零点为下零点的值，同时设置基准零点为基准零点1；所述负补偿，脉宽值加上补偿时间，判断AD值与上零点的大小，小于上零点，设置比较零点为上零点的值，同时设置基准零点为基准零点2；A4、计算出的脉宽值，赋值到脉宽寄存器，波形自动生成。