[发明专利]一种正压条件下合成石墨烯的方法

摘要

本发明公开了一种正压条件下合成石墨烯的方法，其特征在于：石墨烯在化学气象沉积系统的反应腔内生长，生长条件为反应腔内压强高于标准大气压的正压条件。本发明在正压条件下合成石墨烯，对铜箔的质量要求低，解决了目前市场只有个别种类的铜箔可用于铜基底石墨烯的大面积合成，使得多种铜箔可用于石墨烯的生长，避免了石墨烯工业化生产受铜箔原料限制的现象出现，对石墨烯的产业化应用具有重要意义。

主权项

一种正压条件下合成石墨烯的方法，其特征在于：所述石墨烯在化学气象沉积系统的反应腔内生长，生长条件为反应腔内压强高于标准大气压的正压条件。