[发明专利]一种基于同型MOSFET的控制电子束高频偏转扫描装置

摘要

本发明公开了一种基于同型MOSFET的控制电子束高频偏转扫描装置，包括：恒压源、换向电路、线性放大电路以及电流采样电路；换向电路包括第1驱动电路、第2驱动电路、第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET、第四MOSFET以及扫描线圈；线性放大电路包括第3驱动电路、第4驱动电路、第五MOSFET、以及第六MOSFET，第3驱动电路连接第五MOSFET的栅极，第4驱动电路连接第六MOSFET的栅极；恒压源的负端接地，正端连接第一MOSFET的漏极与第二MOSFET的漏极，第四MOSFET的源极连接第六MOSFET的漏极，第三MOSFET的源极连接第五MOSFET的漏极，第五MOSFET的源极连接第六MOSFET的源极，并经过电流采样电路后，连接恒压源的负端。

主权项

一种基于同型MOSFET的控制电子束高频偏转扫描装置，其特征在于，包括：恒压源、换向电路、线性放大电路以及电流采样电路；所述换向电路包括第1驱动电路、第2驱动电路、第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET、第四MOSFET以及扫描线圈，所述第1驱动电路连接所述第一MOSFET的栅极和第四MOSFET的栅极，所述第2驱动电路连接所述第二MOSFET的栅极和第三MOSFET的栅极，所述扫描线圈的一端连接所述第二MOSFET的源极和第四MOSFET的漏极，所述扫描线圈的另一端连接所述第一MOSFET的源极和第三MOSFET的漏极；所述线性放大电路包括第3驱动电路、第4驱动电路、第五MOSFET、以及第六MOSFET，所述第3驱动电路连接所述第五MOSFET的栅极，所述第4驱动电路连接所述第六MOSFET的栅极；所述恒压源的负端接地，正端连接所述第一MOSFET的漏极与所述第二MOSFET的漏极，所述第四MOSFET的源极连接所述第六MOSFET的漏极，所述第三MOSFET的源极连接所述第五MOSFET的漏极，所述第五MOSFET的源极连接所述第六MOSFET的源极，并经过所述电流采样电路后，连接所述恒压源的负端。