[发明专利]玻璃衬底的工艺方法有效
| 申请号： | 201310291272.7 | 申请日： | 2013-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN104276764B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 杨盟 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C03C15/00 | 分类号： | C03C15/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的玻璃衬底的工艺方法，其包括以下步骤氧化步骤，向所述反应腔室内通入氧气，并开启激励电源，或者同时开启偏压电源，以对玻璃衬底表面上的掩膜进行氧化，从而在所述掩膜表面形成氧化层；刻蚀步骤，向所述反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以对玻璃衬底表面进行刻蚀，并在所述氧化层被完全消耗时停止向所述反应腔室内通入刻蚀气体，并关闭激励电源和偏压电源；交替进行所述氧化步骤和刻蚀步骤，直至达到预定刻蚀深度。本发明提供的玻璃衬底的工艺方法，其不仅具有较高的刻蚀速率，而且还可以提高玻璃衬底相对于掩膜的刻蚀选择比。 | ||
| 搜索关键词： | 玻璃 衬底 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种玻璃衬底的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：氧化步骤，向反应腔室内通入氧气，并开启激励电源，或者同时开启偏压电源，以对玻璃衬底表面上的掩膜进行氧化，从而在所述掩膜表面形成氧化层；刻蚀步骤，向所述反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以对玻璃衬底表面进行刻蚀，并在所述氧化层被完全消耗时停止向所述反应腔室内通入刻蚀气体，并关闭激励电源和偏压电源；交替进行所述氧化步骤和刻蚀步骤，直至达到预定刻蚀深度。
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