[发明专利]全背接触太阳电池表面场制备方法

摘要

本发明属于太阳电池领域，提出了一种全背接触太阳电池表面场的制作方法，包括：在抛光或者制绒的n型硅片衬底表面二上采用热扩散的方法形成p型掺杂的掺杂层一；在已形成p型掺杂的掺杂层一的表面二上沉积介质薄膜一；对表面二上的介质薄膜一的局部区域进行刻蚀处理，得到局域开膜图案一，并去掉局域开膜图案一处的p型掺杂层一；采用热扩散，在表面一及表面二的开膜图案一处形成n型掺杂的掺杂层二；在表面二上沉积介质薄膜二；将硅片置于刻蚀溶液中反刻，在表面一得到n型掺杂层三。与现有技术相比，本发明用一步热扩散结合反刻方法，在衬底两个表面形成了掺杂浓度不同的前表面场和背表面场，大大简化了全背接触太阳电池表面场的制作流程。

主权项

一种全背接触太阳电池表面场制备方法，其特征是该制作方法包括以下步骤：步骤一：在抛光或者制绒后的n型单晶硅片(21)的表面二(02)采用热扩散的方法形成p型掺杂的掺杂层一(22)；步骤二：在步骤一所述表面二(02)沉积介质薄膜一(25)；步骤三：对步骤二中沉积的介质薄膜一(25)的局部区域进行刻蚀处理，得到局域开膜图案一(26)，并去掉局域开膜图案一(26)处的p型掺杂层一；步骤四：在衬底的表面一(01)及步骤三所述的去掉掺杂层一的局域开膜图案一(26)处采用热扩散的方法形成n型掺杂的掺杂层二(23)；步骤五：在表面二(02)上沉积介质薄膜二(27)；步骤六：将上述n型硅片置于刻蚀溶液中进行反刻，在衬底的表面一(01)形成n型掺杂层三(28)。