[发明专利]磁性器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310291393.1 | 申请日： | 2013-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN103545443A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 李仑宰;金佑填;李俊明 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了磁性器件及其制造方法。磁性器件包括存储单元，该存储单元包括磁阻器件以及上部电极和下部电极，其中磁阻器件夹在上部电极和下部电极之间，以向磁阻器件施加电流。磁阻器件包括：缓冲层，其控制用于诱导磁阻器件中的垂直磁各向异性（PMA）的晶轴，该缓冲层与下部电极接触；籽晶层，其与缓冲层接触并且取向为密排六方晶格（HCP）（0001）晶面；以及垂直磁化钉扎层，其与籽晶层接触并且具有L11型有序结构。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性器件，包括：磁阻器件以及上部电极和下部电极，所述磁阻器件夹在所述上部电极和所述下部电极之间，其中，所述磁阻器件包括：缓冲层，其控制用于诱导所述磁阻器件中的垂直磁各向异性的晶轴，所述缓冲层与所述下部电极接触；籽晶层，其与所述缓冲层接触并且取向为具有密排六方晶格(0001)晶面；以及垂直磁化钉扎层，其与所述籽晶层接触并且具有L11型有序结构。
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