[发明专利]一种宽光谱高透过、高绒度和低电阻的透明导电薄膜及其制备方法

摘要

一种宽光谱高透过、高绒度和低电阻的透明导电薄膜及其制备方法。该方法在ZnO薄膜表面沉积一层Al覆盖层，在高温下对薄膜进行退火处理，经过湿法腐蚀工艺处理后得到形成具有高电导、高透过率、宽光谱陷光的透明导电氧化锌薄膜材料。本发明所述氧化锌为掺杂半导体，如ZnO：Al、ZnO：Ga、ZnO：B、ZnO：Mo、ZnO：W，n型半导体材料，可应用于非晶硅基、微晶硅基、纳米硅基薄膜的单结及多结太阳电池。

主权项

一种薄膜太阳电池用宽光谱高透过、高绒度和低电阻的透明导电薄膜制备方法，其特征在于包含以下制备工艺步骤：第一、在清洁处理后的衬底上制备ZnO薄膜，厚度为1.5‑3.0μm之间；第二、在第一步所述ZnO薄膜上覆盖一层Al覆盖层，厚度为50nm‑2000nm之间；第三、对第二步所述ZnO薄膜进行高温退火处理，退火温度在400‑700℃之间；第四、对第三步所述ZnO薄膜进行湿法腐蚀，去除表面的Al覆盖层，所述湿法腐蚀使用质量浓度为20%‑50%的NaOH溶液，腐蚀时间为30‑360s第五、对第四步所述ZnO薄膜进行第二次湿法腐蚀，获得大“弹坑状”中包含诸多小“弹坑状”的陷光绒面, 所述湿法腐蚀使用质量浓度为0.1%‑3%的HCl溶液，腐蚀时间为10‑360s，腐蚀后薄膜的厚度在0.1‑1.5μm之间。