[发明专利]一种开关电源自锁保护电路有效

专利信息
申请号: 201310291943.X 申请日: 2013-07-12
公开(公告)号: CN103391074A 公开(公告)日: 2013-11-13
发明(设计)人: 余小强;许刚颖;唐波;朱樟明;王建 申请(专利权)人: 成都启臣微电子有限公司
主分类号: H03K17/08 分类号: H03K17/08
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 梁田
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种开关电源自锁保护电路,包括自锁电路、与自锁输入端连接的输入级,与自锁输出端连接的输出级,及正电源端和地端,所述自锁电路的信号输入端和信号输出端分别与输入级的输出端和输出级的输入端连接;所述自锁电路包括第一NMOS,从正电源端到第一NMOS漏级依次串联第一电阻和第二电阻,所述第一电阻和第二电阻公共端连接第一PMOS栅极;第一PMOS漏极到地端依次连接第三电阻和第四电阻,所述第三电阻和第四电阻的公共端连接第一NMOS栅极;所述第一NMOS和第一PMOS的源级分别连接地端和正电源端。采用本发明所述的开关电源自锁保护电路,增长了VDD电压重启的周期,因而减小了输出短路保护发生时累积在电源内部的能量,减少电源炸机现象的发生。
搜索关键词: 一种 开关电源 保护 电路
【主权项】:
一种开关电源自锁保护电路,包括自锁电路、与自锁输入端连接的输入级,与自锁输出端连接的输出级,及正电源端和地端,所述自锁电路的信号输入端和信号输出端分别与输入级的输出端和输出级的输入端连接; 其特征在于,所述自锁电路包括第一NMOS,从正电源端到第一NMOS漏级依次串联第一电阻和第二电阻,所述第一电阻和第二电阻公共端连接第一PMOS栅极;第一PMOS漏极到地端依次连接第三电阻和第四电阻,所述第三电阻和第四电阻的公共端连接第一NMOS栅极;所述第一NMOS和第一PMOS的源级分别连接地端和正电源端;所述输入级的输出端和自锁电路的信号输入端之间还串联有二极管器件。
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