[发明专利]化合物半导体静电保护元件

摘要

一种化合物半导体静电保护元件，包含一多栅极增强型场效晶体管或数个单栅极增强型场效晶体管，其中每一个栅极电极通过至少一第一电阻直流电连于源极电极、漏极电极或多栅极增强型场效晶体管中两相邻栅极电极间的栅极间区域，且至少一个栅极电极通过至少一栅极电容交流电连于前述源极电极、漏极电极或多栅极增强型场效晶体管中两相邻栅极电极间的栅极间区域。本发明使用整合于芯片上的静电保护电路能大幅缩小化合物半导体集成电路模块的尺寸，且能大幅简化集成电路工艺。

主权项

一种化合物半导体静电保护元件，其特征在于，包括：一个多栅极增强型场效晶体管，其包括一个源极电极、一个漏极电极以及数个位于该源极电极与该漏极电极间的栅极电极；至少一个第一电阻，通过该第一电阻使该数个栅极电极中的每一个直流电连于该源极电极、该漏极电极或两相邻栅极电极间的栅极间区域；以及至少一个栅极电容，通过该栅极电容使该数个栅极电极中的至少一个交流电连于该源极电极、该漏极电极或两相邻栅极电极间的栅极间区域。