[发明专利]用于制造混合集成的构件的方法有效
| 申请号： | 201310294306.8 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103420332B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | J·克拉森;H·韦伯 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;B81B1/00;B81B7/02;G01P15/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 侯鸣慧 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提出了用于混合集成的构件的制造方法。混合集成的构件应当包括至少两个MEMS结构元件(120、220)，至少两个MEMS结构元件分别配置有至少一个ASIC结构元件(110、210)。根据本发明，彼此无关地产生两个MEMS/ASIC晶圆堆叠(100、200)，其方式是，彼此无关地处理两个ASIC基底(110、210)；在两个ASIC基底中的每个ASIC基底的经处理的表面上装配一半导体基底(120、220)；然后在两个半导体基底(120、220)中的每个上产生一微机械结构。然后，两个MEMS/ASIC晶圆堆叠(100、200)以MEMS对MEMS的方式相叠地装配。然后才分离出多个构件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 混合 集成 构件 方法 | ||
【主权项】：
用于制造具有至少两个MEMS结构元件的、混合集成的构件(40；50)的方法，所述至少两个MEMS结构元件分别配置有至少一个ASIC结构元件，·在所述方法中，首先彼此无关地产生两个MEMS/ASIC晶圆堆叠(100、200)，其方式是，‑彼此无关地处理两个ASIC基底(110、210)；‑在所述两个ASIC基底中的每个ASIC基底的经处理的表面上装配一半导体基底；以及‑然后在所述两个半导体基底中的每个半导体基底上产生一微机械结构，·在所述方法中，所述两个MEMS/ASIC晶圆堆叠(100、200)以MEMS对MEMS的方式叠置地进行装配；并且·在所述方法中，然后才分离出多个所述构件。
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