[发明专利]静电防护装置在审
| 申请号： | 201310295650.9 | 申请日： | 2013-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN104299965A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 郑朝华;陈伟斯 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种静电防护装置，其包含：一基底具有一第一导电型态，一掺杂阱具有一第二导电型态并且设置于基底中，一第一掺杂区具有第一导电型态并且设置于掺杂阱中，一第二掺杂区具有第一导电型态并且设置基底中，其中部分第二掺杂区位在掺杂阱中，剩余部分的第二掺杂区不接触掺杂阱，一正面端点电性连结第一掺杂区以及一反面端点位于基底的一反面。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 防护 装置 | ||
【主权项】：
一种静电防护装置，包含：基底，具有第一导电型态；掺杂阱，具有第二导电型态并且设置于该基底中；第一掺杂区，具有该第一导电型态并且设置于该掺杂阱中；第二掺杂区，具有该第一导电型态并且设置于该基底中，其中部分该第二掺杂区位在该掺杂阱中，剩余部分的该第二掺杂区不接触该掺杂阱；正面端点，电性连结该第一掺杂区；以及反面端点，位于该基底的一反面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
